BF556B,215 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  BF556B,215
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BF556B,215 Configuration: Single Current - Test: - Current Rating: 13mA Drain Current (idss At Vgs=0): 6 mA to 13 mA Drain Source Voltage Vds: 30 V Frequency: - Gain: - Gate-source Breakdown Voltage: - 30 V Gate-source Cutoff Voltage: - 0.5 V to - 7.5 V ID_COMPONENTS: 3737828 Maximum Drain Gate Voltage: - 30 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Noise Figure: - Package / Case: SST3 (SOT-23-3) Power - Output: - Power Dissipation: 250 mW Series: - Transistor Polarity: N-Channel Transistor Type: N-Channel JFET Voltage - Rated: 30V Voltage - Test: - Other Names: 934021480215, BF556B T/R
• Количество страниц
  13 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  74,02 KB

BF556B,215 datasheet скачать

BF556B,215 datasheet